[发明专利]高JcYBco超导体定向生长装置无效
| 申请号： | 90101046.4 | 申请日： | 1990-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1029807C | 公开（公告）日： | 1995-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘奉生;周廉;吴晓祖;牟慧麟;王天成 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业总公司专利事务所 | 代理人： | 王连发,李迎春 |
| 地址： | 陕西省宝鸡*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | jcybco 超导体 定向 生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种高JcYBCO超导体定向生长装置，包括专用熔融炉、加热温度自动控制部分、提拉装置，其特征在于：
专用熔融炉由一端与炉腔管配合的通氧管，外径与上、下炉盖孔洞相配合内径与通氧管相配合的炉腔管、孔洞与炉腔管外径相配合成弧形扣连在一起的上、下炉盖，并列安装于炉体内下部与下炉盖和炉腔管相接触的碳矽棒加热体，在炉腔管内的样品和夹持样品的样品夹组成。
2、根据权利要求1所述的装置，其特征在于上、下炉盖的厚度δ≤5mm，外表面加工出深2mm、宽2mm的槽，槽间距为6～7mm。
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