[发明专利]碳化硅中形成的蓝光发射二极管

摘要

本发明包含有在碳化硅中形成的发光二极管，它发射介于约465至470nm，或介于约455至460nm，或介于约424至428nm波长的可见光。该二极管包含具有第一导电型的α型碳化硅的基片和在具有相同导电型的用作为基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延层。一个在第一外延层上的α型碳化硅的第二外延层，具有与第一层相反的导电型，并与第一外延层形成一个p-n结。在最佳实施例中，第一和第二外延层的载流子浓度相互间具有足够的差别，使在偏置条件下流过结的空穴流和电子流的流量相互间有所不同，故而主要的复合作用在所要求的外延层内发生。

主权项

1、一种在碳化硅中形成的发光二极管，它发射可见光谱的蓝-紫色部分的光线，其特征是：一个α型碳化硅的n型基片；一个所述基片的欧姆接触；一个在所述的n型基片上的α型碳化硅的基本上未经补偿的n型单结晶的外延层；一个在所述的n型外延层上的α型碳化硅的P型单晶外延层，它与所述n型层形成P-n结，所述的P一型外延层具有的载流子浓度少于所述的未经补偿的n型外延层的载流子浓度；和一个至所述的P型外延层的欧姆接触，所述的二极管产生介于约455至460nm波长之间的峰值发射，并且在峰值波长处的光谱半宽度不大于约50nm。