[发明专利]光生伏打装置及其制造方法无效
| 申请号: | 89100835.7 | 申请日: | 1989-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN1036298A | 公开(公告)日: | 1989-10-11 |
| 发明(设计)人: | 木山精一;细川弘;玄野丰 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/06;H01L25/02 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 刘建国 |
| 地址: | 日本大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种光生伏打装置,提供覆有绝缘层的金属绝缘基片。相邻光电转换元件之一的第一背电极与另一个的第二背电极相连实现电串联,不影响光电转换的有效面积,使制造者自由地选择组成半导体层的材料。通过接触孔实现透明电极与第二背电极的电接触,在透明电极与第一背电极间提供足够的绝缘距离,防止意外短路发生。本发明还提供了透明电极和第二背电极的电接触部分的最佳大小和间隔,或透明电极层的最佳厚度。 | ||
| 搜索关键词: | 光生伏打 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种光生伏打装置,包括多个串联的光电转换器元件,其中每一个所述光电转换器元件包括:成叠置结构的透明受光面电极层,含有光敏层的半导体层,第一背电极层,绝缘层,以及第二背电极层,其中所述受光面电极层和第二背电极层在受光区的多个位置电联通,並且每一个所述光电转换器元件置于表面覆盖绝缘层的金属基片上。其中互相邻接的光电转换器元件中的一个的所述第一背电极层与另一个的在所述半导体层背面的所述第二背电极层相联接,以使所述光电转换器元件能够互相电串联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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