[发明专利]光生伏打装置及其制造方法

权利要求书

1、一种光生伏打装置，包括多个串联的光电转换器元件，

其中每一个所述光电转换器元件包括：成叠置结构的透明受光面电极层，含有光敏层的半导体层，第一背电极层，绝缘层，以及第二背电极层，其中所述受光面电极层和第二背电极层在受光区的多个位置电联通，並且每一个所述光电转换器元件置于表面覆盖绝缘层的金属基片上。

其中互相邻接的光电转换器元件中的一个的所述第一背电极层与另一个的在所述半导体层背面的所述第二背电极层相联接，以使所述光电转换器元件能够互相电串联。

2、根据权利要求1的光生伏打装置，其中所述半导体层含有多个半导体结。

3、一种光电转换器元件，包括成叠置结构的透明受光面电极层，含有光敏层的半导体层，第一背电极层，绝缘层和第二背电极层，其中所述受光面电极层和第二背电极层在受光区的多个位置电连通，其中所述受光面电极层和第二背电极层的电接触是借助于接触孔实现的，每一个接触孔都具有与所述半导体层和绝缘层的孔相同的直径。

4、一种包括多个如权利要求3所述的光电转换器元件的光生伏打装置，多个光电转换器元件置于透明绝缘基片上，其中互相邻接的光电转换器元件中的一个的所述第一背电极层与另一个的在所述半导体层背面的所述第二背电极层相联接，以使所述光电转换器元件能够互相电串联。

5、一种包括多个如权利要求3所述的光电转换器元件的光生伏打装置，多个光电转换器元件置于表面覆盖绝缘层的金属基片上，互相邻接的光电转换器元件中的一个的所述第一背电极层与另一个的在所述半导体层背面的所述第二背电极层相联接，以使所述光电转换器元件能够互相电串联。

6、一种光电转换器元件，包括成叠置结构的透明受光面电极层，含有光敏层的半导体层，第一背电极层，绝缘层和第二背电极层，其中所述受光面电极层和所述第二背电极层在受光区的多个位置电连接，其中所述连接位置的大小和间隔是基于计算出的在所述连接位置的输出电流根据输出功率决定的。

7、一种包括多个如权利要求6所述的光电转换器元件的光生伏打装置，多个光电转换器元件置于一个透明绝缘基片上，其中所述光电转换器元件是通过互相邻接的光电转换器元件中的一个的所述第一背电极层与另一个的在所述半导体层背面的所述第二背电极层相联接而互相电串联地连接的。

8、一种包括多个如权利要求6所述的光电转换器元件的光生伏打装置，多个光电转换器元件置于表面覆盖绝缘层的金属基片上，其中所述光电转换器元件是通过互相邻接的光电转换器元件中的一个的所述第一背电极层与另一个的在所述半导体层背面的所述第二背电极层相联接而互相电串联地连接的。

9、一种光电转换器元件，包括成叠层结构的透明受光面电极层，含有光敏层的半导体层、第一背电极层，绝缘层和第二背电极层，其中所述受光面电极层和第二背电极层在受光区的多个位置电连接，其中所述受光面电极层的厚度是基于计算出的在所述连接位置的输出电流根据输出功率决定的。

10、一种包括多个如权利要求9所述的光电转换器元件的光生伏打装置，多个光电转换器元件置于一个透明绝缘基片上，其中所述光电转换器元件是通过互相邻接的光电转换器元件中的一个的所述第一背电极层与另一个的在所述半导体层背面的所述第二背电极层相联接而互相电串联地连接的。

11、一种包括多个如权利要求9所述的光电转换器元件的光生伏打装置，多个光电转换器元件置于表面覆有绝缘层的金属基片上，其中所述光电转换器元件是通过互相邻接的光电转换器元件中的一个的所述第一背电极层与另一个的在所述半导体层背面的所述第二背电极层相联接而互相电串联地连接的。

12、一种制造光生伏打装置的方法，包括制造多个光电传换器元件的过程，每一元件包括成叠置结构的透明受光面电极层，含有光敏层的半导体层，第一背电极层，绝缘层和第二背电极层，其中所述受光面电极层在受光区的多个位置和所述第二背电极层电连接，包括：

应用能量束形成多个接触孔，以实现所述受光面电极层和所述第二背电极层的电接触的方法。

13、根据权利要求12的制造光生伏打装置的方法，进一步包括在形成所述半导体层和第一背电极层以后，用能量束形成穿透所述半导体层和所述第一背电极层的贯穿孔的方法。