[发明专利]半导体表面具有导线迹的半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 89100454.8 | 申请日： | 1989-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1016297B | 公开（公告）日： | 1992-04-15 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特斯·阿德里安纳斯·玛丽亚·达尔特斯;阿历山大·吉斯伯特斯·马赛厄斯·扬卡斯 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | H01L21/90 | 分类号： | H01L21/90;H01L21/285;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 马铁良,吴秉芬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，该器件的半导体片具有由半导体区和其周围的氧化区所构成的表面，在表面上制备金属层，以这层金属层形成导线迹，然后，把氧化硅绝缘层淀积在表面上的导线迹上。根据本发明，在把氧化硅层制备在导线迹上之前，这种导线迹上制备有防氧化材料的顶层。由于制备了顶层，避免了氧化硅覆盖的导线迹产生高电阻甚至电学断路的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 具有 导线 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，这种半导体器件的半导体片具有由半导体区与其周围的氧化区构成的表面，在此表面上制备一层金属层，以这层金属层形成导线迹，先在导线迹上制备一个防氧化材料的顶层，然后在该表面的半导体部分和所述顶层上淀积一层氧化硅绝缘层，该半导体器件的制造方法其特征在于：导线迹上的防氧化顶层为非晶硅的顶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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