[发明专利]半导体表面具有导线迹的半导体器件制造方法

权利要求书

1、一种制造半导体器件的方法，这种半导体器件的半导体片具有由半导体区与其周围的氧化区构成的表面，在此表面上制备一层金属层，以这层金属形成导线迹，先在导线迹上制备一个防氧化材料的顶层，然后在该表面的半导体部分和所述顶层上淀积一层氧化硅绝缘层，该半导体器件的制造方法其特征在于：导线迹上的防氧化顶层为非晶硅的顶层。

2、按照权利要求1所述的方法，其特征在于：导线迹的非晶硅顶顶层厚度为3毫微米-50毫微米。

3、按照以上任何一条权利要求所述的方法，其特征在于：导线迹的制备是通过先在表面层上的金属层上淀积一层防氧化材料的顶层，然后将并列的两层蚀刻成与导线迹相同的图形。

4、按照权利要求3所述的方法，其特征在于首先把防氧化材料层蚀刻成所说的图形，随后利用对防氧化材料层中图形实行掩蔽的同时把底下的金属层蚀刻成相同的图形。

5、按照权利要求4所述的方法，其特征在于：导线迹以添加氮的钨钛混合物层制成。

6、按照权利要求5所述的方法，其特征在于：把10-30%的氮（原子比）添加到含钨和钛的混合物中，其中钨钛之比为1∶4。

7、按照以上权利要求中的任何一条的方法，其特征在于：在制备生成导线迹的金属层之前，至少要把金属硅化物顶层局部地制备在半导体区上。

8、按照权利要求7所述的方法，其特征在于：用热处理的方法，在含氮气氛中，加热到600-700℃之间，保持5-20秒钟，来制备金属硅化物顶层。