[实用新型]薄硅片扩散硅力敏元件芯片无效

专利信息
申请号: 88216636.0 申请日: 1988-07-09
公开(公告)号: CN2043006U 公开(公告)日: 1989-08-16
发明(设计)人: 王德福;段祥照;涂季平;孙石杨 申请(专利权)人: 王德福;段祥照;涂季平;孙石杨
主分类号: H01L49/00 分类号: H01L49/00;G01L1/00
代理公司: 沈阳市专利事务所 代理人: 刁佩德
地址: 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种改进的扩散硅力敏元件芯片。它取消传统的采用设备加工芯片的方法,而用直接加工成的薄硅片与玻璃环或硅环封接成一体,组装成芯片。其薄硅片的厚度等于应变膜片的厚度,玻璃环或硅环的内径等于应变膜片的直径。由于薄硅片的表面加工光洁度高,可明显提高扩散硅力敏元件性能。因取消了专用设备,简化操作工艺,故可节省设备投资,降低扩散硅力敏元件的制造成本。
搜索关键词: 硅片 扩散 硅力敏 元件 芯片
【主权项】:
1、一种薄硅片扩散硅力敏元件芯片,其特征是采用薄硅片和玻璃环封接而成,直接加工成的薄硅片厚度等于应变膜片的厚度,其厚度为200~400μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王德福;段祥照;涂季平;孙石杨,未经王德福;段祥照;涂季平;孙石杨许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/88216636.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top