[发明专利]锡基复合镀层的制备方法无效
| 申请号： | 88106559.5 | 申请日： | 1988-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1008749B | 公开（公告）日： | 1990-07-11 |
| 发明（设计）人： | 唐致远;郭鹤桐 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D15/00 | 分类号： | C25D15/00;C25D15/02 |
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种应用于电子元器件的锡基复合镀层的制备方法，它使用的镀液的组分为硫酸亚锡30-70克/升、硫酸80-160克/升、SS-820(配缸光亮剂)15毫升/升、SS-821(添加光亮剂)1.5毫升/升，在上述镀液中加入比例为2∶1的氧化铝和氮化硼颗粒混和物0.2-5.5克/升，所述的陶瓷颗粒的直径小于5微米。采用此方法镀出的锡镀层具有良好的可焊性能，而且稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 镀层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种应用于电子元器件引线的锡基复合镀层的制备方法，其特征是它使用下述组分的镀液：硫酸亚锡30-70克/升、硫酸80-160克/升、SS-820(配缸光亮剂)15毫升/升、SS-821(添加光亮剂)1.5毫升/升，在上述镀液中加入比例为2∶1的氧化铝和氮化硼颗粒混合物0.2-5.5克/升，所述的氧化铝和氮化硼颗粒的直径小于5微米。
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