[发明专利]掺钕和铈的钇铝石榴石激光晶体的生长技术无效
| 申请号： | 88102651.4 | 申请日： | 1988-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1007521B | 公开（公告）日： | 1990-04-11 |
| 发明（设计）人： | 翟清永;张思远;王庆元;陈朝元;应佐庆;罗魏良;姚光华;肖宗朝;梁泽荣;武士学;孙洪建;石全州;黄昌明;张生秀 | 申请（专利权）人： | 西南技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B15/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及掺钕和铈的钇铝石榴石[(Nd，Ce)YAG]激光晶体的引上生长方法，包括组份、加热方法及转速和拉速等生长参数的选取等方面。本发明在不损害晶体光学质量的条件下有效地利用了Ce3+→Nd3+的能量转移。使(Nd，Ce)YAG的脉冲激光效率比优质掺钕钇铝石榴石NdYAG提高70％以上，而且具有阈值低，抗紫外辐射能力强，重复频率工作稳定，对环境温度的稳定性和冷却要求低等优点，特别适用于重复频率工作的中小能量脉冲激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 石榴石 激光 晶体 生长 技术 | ||
【主权项】：
1.一种(Nd，Ce)：YAG激光晶体的引上生长方法，其中包括粉料的灼烧、配制、混合与成型，然后于坩锅中加热至熔后下籽晶，进行旋转引上生长，其特征为：按化学式Y3-x-yNdxCeyAl5O12配料；其中x＝0.06～0.24，y＝0.006～0.12；使晶体中Nd的浓度为0.4(at)％～1.6(at)％，Ce的浓度为2.5×10-2(at)％～0.5(■)％；籽晶方向为(111)、(110)或(211)；晶体直径与坩锅内直径比小于1/2；晶体转速为10～150r/m/n，拉速为0.3～3mm/h；保护气氛为还原性或中性气氛。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南技术物理研究所，未经西南技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/88102651.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
