[发明专利]掺钕和铈的钇铝石榴石激光晶体的生长技术

权利要求书

1、一种(Nd，Ce)∶YAG激光晶体的引上生长方法，其中包括粉料的灼烧、配制、混合与成型，然后于坩锅中加热至熔后下籽晶，进行旋转引上生长，其特征为：按化学式Y_3-x-yNd_xCe_yAl₅O₁₂配料；其中x=0.06～0.24，y=0.006～0.12；使晶体中Nd的浓度为0.4(at)%～1.6(at)%，Ce的浓度为2.5×10^-2(at)%～0.5(at)%；籽晶方向为(111)、(110)或(211)；晶体直径与坩锅内直径比小于1/2；晶体转速为10～150r/m/n，拉速为0.3～3mm/h；保护气氛为还原性或中性气氛。

2、根据权利要求1所述方法，其特征为采用石墨电阻加热和钼坩锅，以凸界面进行生长;转速为10～40r/m/n，提拉速度为0.8～1.4mm/h。

3、根据权利要求2所述方法，其特征为以平界面进行生长;转速为50～100r/m/n，提拉速度为1.0～2.2mm/h。

4、根据权利要求1所述方法，其特征为采用感应加热和铱坩锅，并以凸界面进行生长;转速为10～40r/m/n，提拉速度为0.5～1.5mm/h。

5、根据权利要求1所述方法，其特征为以平界面进行生长;转速为50～100r/m/n，提拉速度为0.6～1.5mm/h。

6、根据权利要求1所述方法，其特征为采用钨电阻加热和钼坩锅或钨坩锅，以凸界面进行生长;转速为10～40r/m/n，提拉速度为0.8～1.4mm/h。

7、根据权利要求1所述方法，其特征为以平界面进行生长;转速为50～120r/m/n，提拉速度1.0～2.2mm/h。

8、根据上述任一项权利要求所述方法，其特征为籽晶方向为（111）±5°。

9、根据上述任一项权利要求所述方法，其特征为粉料充分研磨均匀，配料前在1000～1350℃下灼烧2～8小时。