[其他]大功率可控半导体元件无效
| 申请号： | 88100671 | 申请日： | 1988-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN88100671A | 公开（公告）日： | 1988-09-28 |
| 发明（设计）人： | 安德烈·杰克林;彼得·洛韦勒;鲁道夫·法伊特茨;托马斯·弗拉萨克 | 申请（专利权）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/60 | 分类号： | H01L29/60;H01L29/10;H01L29/74;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬,肖掬昌 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在由若干个单一元件并列和并联、其控制接点与一共同的控制引线相连，这样组成的大功率可控半导体元件中，对控制引线和控制触点之间不同的线路电阻进行补偿，而使各单一元件的负载相同。可供选择的解决方法是，在GTO可控硅元件上，通过在栅极接点(5)和n发射极(2)之间对P基极(3)的栅沟电阻(RG)进行调整而达到补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 可控 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、大功率可控半导体元件，这种元件(a)、在两个主电极之间的半导体衬底上有若干个不同的掺杂层；(b)、有一个用于元件控制的控制电极；(c)、可分为若干相互并排的并联单一元件(11)；(d)、每个单一元件(11)上都配有一个控制触点；(e)、单一元件(11)的控制触点与一共同的控制接口相连，共同构成控制电极；这种半导体元件的特点是：(f)、单一元件(11)的半导体衬底上装有介质，用以对有关控制触点和控制接口之间不同的线路电阻进行补偿。
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