[其他]大功率可控半导体元件

权利要求书

1、大功率可控半导体元件，这种元件

(a)、在两个主电极之间的半导体衬底上有若干个不同的掺杂层；

(b)、有一个用于元件控制的控制电极；

(c)、可分为若干相互并排的并联单一元件(11)；

(d)、每个单一元件(11)上都配有一个控制触点；

(e)、单一元件(11)的控制触点与一共同的控制接口相连，共同构成控制电极；

这种半导体元件的特点是：

(f)、单一元件(11)的半导体衬底上装有介质，用以对有关控制触点和控制接口之间不同的线路电阻进行补偿。

2、根据权利要求1的半导体可控元件的特点是：

（a）、元件具有门电路断开可控硅（GTO）的结构，同时

（b）、在一个阳极和一个阴极之间上下依次有一个P发射极，一个n基极（4），一个P基极（3）和一个n发射极（2）;

（c）、单一元件（11）由n发射极（2）的指状区构成，并受到露于表面的P基极（3）的包围;

（d）、作为栅极接点（5）的控制触点用金属喷涂层的形式置于露出表面的P基极（3）上;

（e）、用于补偿线路电阻差别的介质在栅极接点（5）和n发射极（2）的指状区之间包含着P基极（3）中的一个沿元件表面而变化的电阻。

3、根据权利要求1的大功率可控半导体元件的特点是：

（a）、元件具有门电路断开可控硅（GTO）的结构，并且

（b）、在一个阳极和一个阴极之间上下依次排有一个P发射极，一个n基极（4），一个P基极（3）和一个n发射极（2）;

（c）单一元件（11）由n发射极（2）的指状区构成，并受到露于表面的P基极（3）的包围;

（d）、作为栅极接点（5）的控制触点以金属喷涂层的形式置于露出表面的P基极（3）上;

（e）、用于补偿线路电阻差的介质在栅极接点（5）和n发射极（2）的指状区之间包含着P基积（3）中的一个沿元件表面而变化的电阻，该电阻明显大于栅极接点（5）的金属喷涂层的电阻。

4、根据权利要求2或3的大功率可控半导体元件的特点是，

（a）、单一元件（11）按径向排列于若干同心环上、并且

（b）、控制引线以栅极引线（8）的形式位于这些同心圆的中心，或是呈圆环形处于这些圆环之间。

5、根据权利要求2或3的大功率可控半导体元件的特点是：

为了调节P基极（3）中相应的电阻，可以调整栅极接点金属喷涂层的边沿至n发射极（2）所属指状区的距离。

6、根据权利要求2或3的大功率可控半导体元件的特点是：

在栅极接点金属喷涂层的边沿至n发射极（2）所属指状区的距离保持不变的情况下，为了调节P基极（3）中相应的电阻，可以通过绝缘层（6）对有效电气距离进行调整，绝缘层自指状区嵌入到金属喷涂层的下面，并在一定的长度上将金属喷涂层同它下面的P基极（3）隔绝开。

7、根据权利要求5或6的大功率可控半导体元件的特点是：

对于不同的单一元件（11）来说，P基极（3）的层电阻调得也不同，以及/或者P基极（3）的层电阻沿单一元件（11）的纵向局部地可以变化。

8、根据权利要求7的大功率半导体元件的特点是：

为了调节不同的层电阻，P基极（3）露于表面部分的厚度可以不同。

9、根据权利要求7的大功率可控半导体元件的特点是：

为了调整不同的层电阻，P基极（3）具有不同的掺杂分布图。

10、根据权利要求9的大功率可控半导体元件的特点是：

为了减小层电阻，在P基极（3）露于表面的部分上加入一个掺杂较强的附加层（7）。