[发明专利]多源型平面磁控溅射源无效
| 申请号: | 87106938.5 | 申请日: | 1987-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN1003945B | 公开(公告)日: | 1989-04-19 |
| 发明(设计)人: | 王德苗;任高潮 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
| 代理公司: | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人: | 连寿金 |
| 地址: | 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种多源型不面磁控溅射源,其磁场源由一个固定的外磁组件、一个或多个可作旋转运动的内磁组件6构成,溅射靶板8由若干个可拆换的异质扇形单元靶拼成,溅射靶板8的上方有一个开有扇形窗口、能同内磁组件6作同步运动的挡板25。该溅射源具有共溅沉积合金膜、沉积多层膜或沉积单质薄膜等功能。沉积多层膜时靶材利用率达75%以上;共溅沉积合金膜时,靶材利用率达85%以上,膜层成份配比精确度高、厚度均匀性好。 | ||
| 搜索关键词: | 多源型 平面 磁控溅射 | ||
【主权项】:
1.一种多源型平面磁控溅射源,包括磁场源、溅射靶、水冷器、挡板及屏蔽罩,其特征在于:—磁场源由固定的外磁组件和可绕轴转动的内磁组件6构成,其中,外磁组件包括环状下极靴2,环状磁体3,环状上极靴4及反向磁体5,内磁组件6包括扇形极靴i,V形磁体ii和扇形磁体iii。—溅射靶板8由多个异质扇形板拼装而成。—内磁组件6设置于水冷器中,且冷却水优先进入内磁组件6,并从内磁组件6顶部溢出。—挡板25设置在溅射靶板8的上方,并在对应于内磁组件6的位置开有一个或多个扇形窗口,该挡板25可与内磁组件6作同步转动或摆动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/87106938.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





