[发明专利]多源型平面磁控溅射源无效

专利信息
申请号: 87106938.5 申请日: 1987-10-12
公开(公告)号: CN1003945B 公开(公告)日: 1989-04-19
发明(设计)人: 王德苗;任高潮 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 浙江大学专利代理事务所 代理人: 连寿金
地址: 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 多源型 平面 磁控溅射
【权利要求书】:

1、一种多源型平面磁控溅射源,包括磁场源、溅射靶、水冷器、挡板及屏蔽罩,其特征在于:

-磁场源由固定的外磁组件和可绕轴转动的内磁组件6构成,其中,外磁组件包括环状下极靴2,环状磁体3,环状上极靴4及反向磁体5,内磁组件6包括扇形极靴ⅰ,V形磁体ⅱ和扇形磁体ⅲ。

-溅射靶板8由多个异质扇形板拼装而成。

-内磁组件6设置于水冷器中,且冷却水优先进入内磁组件6,并从内磁组件6顶部溢出。

-挡板25设置在溅射靶板8的上方,并在对应于内磁组件6的位置开有一个或多个扇形窗口,该挡板25可与内磁组件6作同步转动或摆动。

2、根据权利要求1的磁控溅射源,其特征在于:所述的内磁组件6可以是一个或多个。

3、根据权利要求1所述的磁控溅射源,其特征在于:所述的挡板25由传动齿轮24和带卡簧的从动齿轮26、27夹持,位于靶面上方4~6mm处。

4、根据权利要求1所述的磁控溅射源,其特征在于:水冷器的冷却水自进水管15引入,经转轴12的中心深孔和水腔Ⅰ,进入内磁组件腔Ⅱ,从内磁组件6顶部溢出到水腔Ⅲ,由铜质出水管16引出。

5、采用如权利要求1~4中任一顶所述的磁控溅射源进行镀膜的方法,其特征在于:根据膜的成分要求装置靶板,使内磁组件6和挡板25作同步旋转,以形成合多镀膜。

6、采用如权利要求1~4中任一顶所述的磁控溅射源进行镀膜的方法,其特征在于:根据膜的成分要求装置靶板,使内磁组件6和挡板26依次在各单元靶板下(上)作同步摆动,以形成多层镀膜。

7、采用如权利要求1~4中任一项所述的磁控溅射源进行镀膜的方法,其特征在于:溅射靶板8可以是同种材料构成,使内磁组件6和挡板25作同步旋转,以形成单层膜。

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