[发明专利]多源型平面磁控溅射源无效
| 申请号: | 87106938.5 | 申请日: | 1987-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN1003945B | 公开(公告)日: | 1989-04-19 |
| 发明(设计)人: | 王德苗;任高潮 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
| 代理公司: | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人: | 连寿金 |
| 地址: | 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多源型 平面 磁控溅射 | ||
1、一种多源型平面磁控溅射源,包括磁场源、溅射靶、水冷器、挡板及屏蔽罩,其特征在于:
-磁场源由固定的外磁组件和可绕轴转动的内磁组件6构成,其中,外磁组件包括环状下极靴2,环状磁体3,环状上极靴4及反向磁体5,内磁组件6包括扇形极靴ⅰ,V形磁体ⅱ和扇形磁体ⅲ。
-溅射靶板8由多个异质扇形板拼装而成。
-内磁组件6设置于水冷器中,且冷却水优先进入内磁组件6,并从内磁组件6顶部溢出。
-挡板25设置在溅射靶板8的上方,并在对应于内磁组件6的位置开有一个或多个扇形窗口,该挡板25可与内磁组件6作同步转动或摆动。
2、根据权利要求1的磁控溅射源,其特征在于:所述的内磁组件6可以是一个或多个。
3、根据权利要求1所述的磁控溅射源,其特征在于:所述的挡板25由传动齿轮24和带卡簧的从动齿轮26、27夹持,位于靶面上方4~6mm处。
4、根据权利要求1所述的磁控溅射源,其特征在于:水冷器的冷却水自进水管15引入,经转轴12的中心深孔和水腔Ⅰ,进入内磁组件腔Ⅱ,从内磁组件6顶部溢出到水腔Ⅲ,由铜质出水管16引出。
5、采用如权利要求1~4中任一顶所述的磁控溅射源进行镀膜的方法,其特征在于:根据膜的成分要求装置靶板,使内磁组件6和挡板25作同步旋转,以形成合多镀膜。
6、采用如权利要求1~4中任一顶所述的磁控溅射源进行镀膜的方法,其特征在于:根据膜的成分要求装置靶板,使内磁组件6和挡板26依次在各单元靶板下(上)作同步摆动,以形成多层镀膜。
7、采用如权利要求1~4中任一项所述的磁控溅射源进行镀膜的方法,其特征在于:溅射靶板8可以是同种材料构成,使内磁组件6和挡板25作同步旋转,以形成单层膜。
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