[发明专利]半导体元件无效
| 申请号： | 87106746.3 | 申请日： | 1987-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN1004735B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | C·克里斯蒂安·阿巴斯;延斯·戈布雷希特;霍斯特·格吕宁;扬·福博利尔 | 申请（专利权）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/743 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,杜有文 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 对一种在半导体衬底中具有各种不同掺杂层(2，3，4，5)的半导体元件进行了电气性能方面的改进，方法是用深腐蚀坑(10)局部减少载流区衬底的厚度，同时基本上保持半导体衬底原有的机械稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于它包括：第一厚度的一层大面积半导体衬底：在所说衬底里，有一组不同掺杂的层配置在一阳极和一阴极之间，各层具有一个可由栅极断开的闸流晶体管的层次排列特性；在所说阴极的一侧，一种阶梯形栅-阴结构，因而多个阴极指从一凹槽式栅平面突出并被该凹槽式栅平面分开，从而形成一控制结构；所说半导体衬底的所说第一厚度被至少一个伸入所说阳极侧的所说半导体衬底的深腐蚀井所降低；所说腐蚀井配置在所说控制结构的对面，并降低包含多个所说阴极指的所说半导体某一区域上的所说厚度；所说半导体衬底以所说阳极侧钎焊到一金属衬底上；以及所说腐蚀井要完全被焊料填充。
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