[发明专利]半导体元件

权利要求书

1、一种半导体器件，其特征在于它包括：

第一厚度的一层大面积半导体衬底：

在所说衬底里，有一组不同掺杂的层配置在一阳极和一阴极之间，各层具有一个可由栅极断开的闸流晶体管的层次排列特性;

在所说阴极的一侧，一种阶梯形栅-阴结构，因而多个阴极指从一凹槽式栅平面突出并被该凹槽式栅平面分开，从而形成一控制结构;

所说半导体衬底的所说第一厚度被至少一个伸入所说阳极侧的所说半导体衬底的深腐蚀井所降低;

所说腐蚀井配置在所说控制结构的对面，并降低包含多个所说阴极指的所说半导体某一区域上的所说厚度;

所说半导体衬底以所说阳极侧钎焊到一金属衬底上;以及

所说腐蚀井要完全被焊料填充。

2、根据权利要求1的一种半导体功率器件，其特征在于：

一p掺杂阳极层和一在其上的弱n掺杂基层被配置在所说阳极侧的所说半导体衬底中;以及

所说半导体衬底的所说厚度的降低与所说基层厚度的降低有关。

3、根据权利要求2的一种半导体功率器件，其特征在于其中的一强n掺杂阻挡层设置在所说阳极层和所说基层之间。

4、根据权利要求2的一种半导体功率器件，其特征在于所说基层的所说厚度降低使所说基层的厚度小于200微米。

5、根据权利要求1的一种半导体功率器件，其特征在于：

所说控制结构被细分成多个分离的控制区，从而每一所说控制区包括多个所说阴极，以及

在所说控制区的对面，为每一所说控制区设置一面积大约相等的分离腐蚀井。