[发明专利]电子器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 87106448.0 申请日: 1987-09-21
公开(公告)号: CN1005946B 公开(公告)日: 1989-11-29
发明(设计)人: 间濑晃;小沼利光;坂间光范;犬岛乔;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L29/86 分类号: H01L29/86;H01L21/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 刘晖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分,再用一个绝缘层围住上述层部分,使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同,但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中,使有机树脂漫延到层部分上面。然后,从衬底那一侧对有机树脂层曝光,并进行显影和热处理等工艺,最后形成上述绝缘层。
搜索关键词: 电子器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种非线性半导体电子器件包括:一个具有绝缘表面的透光衬底;一个制有图形的层部分在上述衬底上形成;其中,上述层部分的结构是:(a)一个用做第一电极的第一导电层;(b)一个非晶半导体层部分;(c)一个用做第二电极的第二导电层,并与上述各层依次重叠;(d)上述层部分用一个光敏有机树脂胶层环绕,并且该层是在上述衬底上形成的;上述电子器件的特征在于:上述光敏有机树脂层与上述非晶半导体层部分的侧面接触,但并不漫延到上述层部分的顶部表面;完成制作工艺之后得到的上述光敏有机树脂胶层的厚度与上述层部分的厚度相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/87106448.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top