[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1、一种非线性半导体电子器件包括：

一个具有绝缘表面的透光衬底;

一个制有图形的层部分在上述衬底上形成;

其中，上述层部分的结构是：

（a）一个用做第一电极的第一导电层;

（b）一个非晶半导体层部分;

（c）一个用做第二电极的第二导电层，并与上述各层依次重叠;

（d）上述层部分用一个光敏有机树脂胶层环绕，并且该层是在上述衬底上形成的;

上述电子器件的特征在于：上述光敏有机树脂层与上述非晶半导体层部分的侧面接触，但并不漫延到上述层部分的顶部表面;

完成制作工艺之后得到的上述光敏有机树脂胶层的厚度与上述层部分的厚度相同。

2、根据权利要求1所述的一种非线性半导体电子器件，其中，上述层部分中的非晶半导体层部分至少有：

P（或N）-I-N（或P），

N-I（或P^-）-N，

P-I（或N^-）-P，

N-I（或P^-）-P-I（或P^-）-N，

P-I（或N^-）-N-I（或N^-）-P

结中的一个。

3、根据权利要求1所述的一种非线性半导体电子器件，还包括一个导电层部分漫延到上述光敏有机树脂胶层上，并与上述层部分中的第二导电层相接触。

4、根据权利要求1所述的一种非线性半导体电子器件，其中，光敏有机树脂胶层是用聚酰亚胺有机树脂形成的。

5、一种非线性半导体电子器件的制造方法包括以下步骤：

准备一个具有绝缘表面的透光衬底;

在上述衬底的一个部位上，至少形成一个非线性多层电子元件，其透明度小于衬底的透明度;其特征在于：

用光敏有机树脂胶至少在整个上述非线性多层电子元件的顶部边缘覆盖上述透光衬底;

用上述非线性多层电子元件层做掩膜，通过上述透光衬底进行照射，对上述非线性多层电子元件以外的光敏有机树脂胶部分进行曝光处理;

用溶剂去除未经处理的光敏有机树脂胶，从而保留经过处理的光敏有机树脂胶作绝缘层，该层与上述非线性多层电子元件的各侧面紧密接触，使这个位于绝缘层和非线性多层电子元件之间的接触避免在非线性电子元件层之间产生电的短路。

6、根据权利要求5所述的一种非线性半导体电子器件的制造方法，其中，在制作工艺之前最初形成的光敏有机树脂胶的厚度比在衬底上形成的非线性多层电子元件的厚度厚。

7、根据权利要求5所述的一种非线性半导体电子器件的制造方法，其中，工艺后在衬底上形成的光敏有机树脂胶层厚度基本上与在衬底上形成的非线性多层电子元件层的厚度相同。

8、根据权利要求5所述的一种非线性半导体电子器件的制造方法，其中包括在上述非线性多层电子元件层上覆盖一层导电电极。