[发明专利]半导体陶瓷组合物无效
| 申请号： | 87105843.X | 申请日： | 1987-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1009873B | 公开（公告）日： | 1990-10-03 |
| 发明（设计）人： | 小野秀一;矢作正博;板垣秋一;菊地信明 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/46;H01G4/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 罗才希,魏金玺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于还原再氧化型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组合物，这组合物能提高电容器的电容，绝缘强度并能改善电容器的温度特性，组合物包括BaTiO3基体组分和包含Nb和Ce的少量组分Nb和Ce的含量分别按Nb2O3和CeO2计算为0.1到3.0％(摩尔)。用添加Co等元素的方法来提高电容器的绝缘电阻和直流击穿电压并进一步改善电容器的温度特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体陶瓷组合物，它包括：包含BaTiO3的基体组分；包含Nb和Ce的少量组分，所述Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.2到3.0％(摩尔)和包含Co、Mn和SiO2的添加剂组分，所述Co和Mn的含量以Co3O4和MnCO3计算分别为≤0.8％(重量)和≤0.25％(重量)，所述SiO2含量为≤0.25％(重量)。
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