[发明专利]半导体陶瓷组合物无效
| 申请号: | 87105843.X | 申请日: | 1987-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN1009873B | 公开(公告)日: | 1990-10-03 |
| 发明(设计)人: | 小野秀一;矢作正博;板垣秋一;菊地信明 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
| 主分类号: | H01B3/12 | 分类号: | H01B3/12;C04B35/46;H01G4/12 |
| 代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 罗才希,魏金玺 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 陶瓷 组合 | ||
1、一种半导体陶瓷组合物,它包括:
包含BaTiO3的基体组分;
包含Nb和Ce的少量组分,所述Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.2到3.0%(摩尔),和
包含Co、Mn和SiO2的添加剂组分,所述Co和Mn的含量以Co3O4和MnCO3计算分别为≤0.8%(重量)和≤0.25%(重量),所述SiO2含量为≤0.25%(重量)。
2、一种半导体陶瓷组合物 包括:
包含BaTiO3的基体组分,
包含Nb和Ce的少量组分,所述Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.2到3.0%(摩尔),和
包含Co、Mn、SiO2和SrTiO3的添加剂组分,所述Co和Mn的含量按Co3O4和MnCO3计算分别为≤0.8%(重量)和≤0.25%(重量),所述SiO2和SrTiO3的含量分别为≤0.25%(重量)和0.5到20.0%(重量)。
3、根据权利要求1或2的半导体陶瓷组合物,其中添加剂组分还另外含有Y,所述Y的含量按Y2O3计算为0.1到3.0%(重量)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/87105843.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:喹诺酮羧酸衍生物的制备方法
- 下一篇:接收装置





