[发明专利]硅低温掺氟氧化方法

摘要

本发明是半导体工艺中的一种掺氟、低温硅氧化方法，属于集成电路工艺中在半导体硅材料上生长二氧化硅绝缘层的技术。本发明采用液态含氟试剂为掺氟源，由携带气体携带，氧气稀释，利用常规热氧化炉实现掺氟、低温800℃或低于800℃硅氧化。此外，本发明还采用了抗氟腐蚀的全塑气体系统。因此，避免了系统腐蚀，又获得了优于或相当于高温氧化的优质硅氧化层，为大规模和超大规模集成电路的发展提供了一种简单、方便的低温氧化方法。

主权项

1、一种掺氟、低温硅氧化方法，包括集成电路常规化学清洗硅片工艺、普通三段式氧化炉、氧化炉中的石英管1、硅片3、加温电炉7、降温冷阱6、温度传感器9、控温仪8和由抗氟腐蚀塑料制成的源瓶4、质量流量计、阀门10、11、气体混合器12、管道13全塑气体系统，其特征在于：a.硅氧化温度为800℃或低于800℃，b.掺氟氧化的氟源是含氟溶液，源温维持在-196℃-60℃间的任何温度值，c.通过氟源的携带气体为氧、氮或氩、氖、氦惰性气体，d.稀释含氟气体的稀释气体为氧，e.含氟气体中含氟摩尔浓度最好小于0.4%，掺氟氧化气体含氟量为10ppm-4000ppm，f.硅片氧化后退火，时间最好为5分-3小时，g.产品为优于或相当于高温氧化的，能进行低温氮化，获得抗钠离子沾污的氧化层。