[发明专利]硅低温掺氟氧化方法

权利要求书

1、一种掺氟、低温硅氧化方法，包括集成电路常规化学清洗硅片工艺、普通三段式氧化炉、氧化炉中的石英管1、硅片3、加温电炉7、降温冷阱6、温度传感器9、控温仪8和由抗氟腐蚀塑料制成的源瓶4、质量流量计、阀门10、11、气体混合器12、管道13全塑气体系统，其特征在于：

a.硅氧化温度为800℃或低于800℃，

b.掺氟氧化的氟源是含氟溶液，源温维持在-196℃-60℃间的任何温度值，

c.通过氟源的携带气体为氧、氮或氩、氖、氦惰性气体，

d.稀释含氟气体的稀释气体为氧，

e.含氟气体中含氟摩尔浓度最好小于0.4%，掺氟氧化气体含氟量为10ppm-4000ppm，

f.硅片氧化后退火，时间最好为5分-3小时，

g.产品为优于或相当于高温氧化的，能进行低温氮化，获得抗钠离子沾污的氧化层。

2、根据权利要求1所述的掺氟、低温硅氧化方法，其特征在于掺氟氧化的氟源为氢氟酸、C₆F₆（全氟苯）、或CCl₂F-CCl₂F（氟利昂F-112）溶液。

3、根据权利要求1、2所述的掺氟、低温硅氧化方法，其特征在于，掺氟氧化的氟源溶液纯度最好是MOS纯溶液。

4、根据权利要求1所述的掺氟、低温硅氧化方法，其特征在于，携带气体或稀释气体的纯度至少是99.9%。