[其他]制造光电器件和其它半导体器件用的氢化非晶硅合金的沉积物原料和掺杂剂材料无效
| 申请号: | 87100729 | 申请日: | 1987-02-18 | 
| 公开(公告)号: | CN87100729A | 公开(公告)日: | 1987-11-25 | 
| 发明(设计)人: | 查理斯·罗伯特·迪克森 | 申请(专利权)人: | 索拉里克斯公司 | 
| 主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C14/38;H01L31/00 | 
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 全菁,吴大建 | 
| 地址: | 美国马里兰*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | 分子式为(MX3)nM′X4—n的化合物,M和M′是不同的4A族原子,M和M′中至少有一个是硅烷,X是氢、卤素或它们的混合物,它在形成用于制造光电器件和电子敏感器件的氢化非晶硅合金时作为沉积物原料。掺杂剂的分子式为(SiX3)mLX3—m,L是一个5A族原子,选自磷、砷、锑和铋组,X是氢、卤素或它们的混合物,它们用于制造负掺杂氢化非晶硅合金。掺杂剂的分子式为YJX2,Y是卤素或羰基,J是一个3A族原子,X是氢、卤素或它们的混合物;它们用于形成正掺杂氢化非晶硅合金。 | ||
| 搜索关键词: | 制造 光电 器件 其它 半导体器件 氢化 非晶硅 合金 沉积物 原料 掺杂 材料 | ||
【主权项】:
                1、使用具有下列分子式的一种或多种化合物的方法:(MX3)nM′4-n这里M和M′为不同的4A族原子,M和M′中至少有一个是硅,X是氢、囟素或它们的混合物,n是1和4之间的一个整数,包括1和4在内;这种化合物作为制造氢化非晶硅合金的沉积物原料。
            
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                    C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
                
            C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





