[其他]制造光电器件和其它半导体器件用的氢化非晶硅合金的沉积物原料和掺杂剂材料无效

专利信息
申请号: 87100729 申请日: 1987-02-18
公开(公告)号: CN87100729A 公开(公告)日: 1987-11-25
发明(设计)人: 查理斯·罗伯特·迪克森 申请(专利权)人: 索拉里克斯公司
主分类号: C23C16/00 分类号: C23C16/00;C23C14/38;H01L31/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 全菁,吴大建
地址: 美国马里兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 分子式为(MX3)nM′X4—n的化合物,M和M′是不同的4A族原子,M和M′中至少有一个是硅烷,X是氢、卤素或它们的混合物,它在形成用于制造光电器件和电子敏感器件的氢化非晶硅合金时作为沉积物原料。掺杂剂的分子式为(SiX3)mLX3—m,L是一个5A族原子,选自磷、砷、锑和铋组,X是氢、卤素或它们的混合物,它们用于制造负掺杂氢化非晶硅合金。掺杂剂的分子式为YJX2,Y是卤素或羰基,J是一个3A族原子,X是氢、卤素或它们的混合物;它们用于形成正掺杂氢化非晶硅合金。
搜索关键词: 制造 光电 器件 其它 半导体器件 氢化 非晶硅 合金 沉积物 原料 掺杂 材料
【主权项】:
1、使用具有下列分子式的一种或多种化合物的方法:(MX3)nM′4-n这里M和M′为不同的4A族原子,M和M′中至少有一个是硅,X是氢、囟素或它们的混合物,n是1和4之间的一个整数,包括1和4在内;这种化合物作为制造氢化非晶硅合金的沉积物原料。
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