[其他]制造光电器件和其它半导体器件用的氢化非晶硅合金的沉积物原料和掺杂剂材料

权利要求书

1、使用具有下列分子式的一种或多种化合物的方法：

(MX₃)nM^′_4-n

这里M和M′为不同的4A族原子，M和M′中至少有一个是硅，X是氢、囟素或它们的混合物，n是1和4之间的一个整数，包括1和4在内；这种化合物作为制造氢化非晶硅合金的沉积物原料。

2、权项1的方法中，M是硅，M′是碳或锗，X是氢、氟或它们的混合物。

3、制备氢化非晶硅合金的工艺，即在沉积室中将氢化非晶硅合金薄膜沉积到基板上面，其中包括在沉积过程中将含有下述分子式的一种或多种化合物的沉积气体混合物导入沉积室内的工序：

（MX₃）_nM′X_4-n

这里M和M′为不同的4A族原子，M和M′中至少有一个是硅，X是氢、囟素或它们的混合物，n是1和4之间的一个整数，包括1和4在内。

4、权项3的工艺，是用辉光放电进行沉积。

5、权项4的工艺是由直流辉光放电进行沉积。

6、权项3的工艺中，所述分子式Ⅰ的该化合物含有约1到50%（体积百分比）的所述的沉积气体混合物。

7、权项6的工艺中，所述分子式Ⅰ的该化合物含有约1到20%（体积百分比）的所述沉积气体混合物。

8、权项3的工艺中，所述沉积气体混合物还包括硅烷。

9、权项3的工艺中，M是硅。M′是碳或锗，X是氢、氟或它们的混合物。

10、一种改良的半导体器件，它包含一个或多个氢化非晶硅合金层，这些层由具有下列分子式的一种或多种化合物制成：

（MX₃）_nM′X_4-n

这里M和M′为不同的4A族原子，M和M′中至少有一个是硅，X是氢、囟素或它们的混合物，n是1和4之间的一个整数，包括1和4在内。

11、权项10中的半导体器件，这里所指的半导体器件是光电器件。

12、制造一种半导体器件的方法，该方法包括将一个或多个氢化非晶硅合金层沉积在基板上面，这些层由一种或者多种具有下列分子式的化合物制成：

（MX₃）_nM′X_4-n

这里M和M′为不同的4A族原子，M和M′中至少有一个是硅，X是氢、囟素或它们的混合物，n是1和4之间的一个整数，包括1和4在内。

13、一种半导体器件，它包含一个或多个氢化非晶硅层，其中至少有一个层是在沉积室中通过氢化非晶硅合金的沉积而制成，沉积过程通过将沉积气体混合物导入沉积室内来进行，该沉积气体混合物包含一种或多种具有下列分子式的化合物：

（MX₃）_nM′X_4-n

这里M和M′为不同的4A族原子，M和M′中至少有一个是硅，X是氢、囟素或它们的混合物，n是1和4之间的一个整数，包括1和4在内。

14、权项13中的半导体器件，这里所指的半导体器件是一种光电器件。

15、制备一种半导体器件的工艺，此工艺包括将一个或多个氢化非晶硅合金层沉积在基板上面的工序，这些层中至少有一个是在沉积过程中将一种沉积气体混合物导入沉积室而制备的，该沉积气体混合物包含一种或多种具有下列分子式的化合物：

（MX₃）_nM′X_4-n

这里M和M′为不同的4A族原子，M和M′中至少有一个是硅，X是氢、囟素或它们的混合物，n是1和4之间的一个整数，包括1和4在内。