[其他]薄膜晶体管无效
| 申请号： | 86108693 | 申请日： | 1986-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN86108693A | 公开（公告）日： | 1987-08-12 |
| 发明（设计）人： | 石原俊一;大利博和;广冈政昭;半那纯一;清水勇 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种改进的薄膜晶体管，其基本半导体层包含由非晶材料构成的层，它是用下述方法制备的：(a)将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过气态物质输送管引入放有薄膜晶体管基底的成膜室，通过气态卤族氧化剂输送管将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质引入该成膜室，(b)使该气态物质和该气态卤族氧化剂在该成膜室内没有等离子体的情况下发生化学反应，产生含有受激先质的多种先质。(c)至少利用这些先质中的一种作为供应源，在该基底上形成所述的层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/86108693/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：立铣刀及锥度立铣刀的螺旋槽铣削
- 下一篇：多液压缸传动的同步调节装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
