[其他]薄膜晶体管无效
| 申请号： | 86108693 | 申请日： | 1986-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN86108693A | 公开（公告）日： | 1987-08-12 |
| 发明（设计）人： | 石原俊一;大利博和;广冈政昭;半那纯一;清水勇 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1、一种改进的薄膜晶体管，其基本半导体层包含由非晶材料构成的层，它是用下述方法制备的：
(a)将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过气态物质输送管引入放有薄膜晶体管基底的成膜室，通过气态卤族氧化剂输送管将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质引入该成膜室，
(b)使该气态物质和该气态卤族氧化剂在该成膜室内没有等离子体的情况下发生化学反应，产生含有受激先质的多种先质。
(c)至少利用这些先质中的一种作为供应源，在该基底上形成所述的层。
2、根据权利要求1的一种改进的薄膜晶体管，其中的气态物质（ⅰ）是链式硅烷化合物。
3、根据权利要求2的一种改进的薄膜晶体管，其中的链式硅烷化合物是直链式硅烷化合物。
4、根据权利要求3的一种改进的薄膜晶体管，其中的直链式硅烷化合物是用一般分子式SinH2n+2表示的一种化合物，这里n是1到8的整数。
5、根据权利要求2的一种改进的薄膜晶体管，其中的链式硅烷化合物是枝状链式硅烷化合物。
6、根据权利要求1的一种改进的薄膜晶体管，其中的气态物质（ⅰ）是环形硅烷化合物。
7、根据权利要求1的一种改进的薄膜晶体管，其中的气态物质（ⅰ）是链式锗烷化合物。
8、根据权利要求7的一种改进的薄膜晶体管，其中的链式锗烷化合物是用一般分子式GemH2m+2表示的一种化合物，这里m是1到5的整数。
9、根据权利要求1的一种改进的薄膜晶体管，其中的气态物质（ⅰ）是一种四面体类的化合物。
10、根据权利要求1的一种改进的薄膜晶体管，其中的气态卤族氧化剂（ⅱ）是由氟气和氯气组成的组中选出的卤素气体。
11、根据权利要求1的一种改进的薄膜晶体管，其中的气态卤族氧化剂（ⅱ）是含有氟原子作为成分的一种气态物质。
12、根据权利要求1的一种改进的薄膜晶体管，其中的气态卤族氧化剂（ⅱ）是新生态卤素。
13、根据权利要求1的一种改进的薄膜晶体管其中放置在成膜室内的基底表面朝向气态物质（ⅰ）和气态卤族氧化剂（ⅱ）的输送管的出气口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
