[发明专利]图象读取光检测器的制作方法无效
| 申请号: | 86108452.7 | 申请日: | 1986-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN1006670B | 公开(公告)日: | 1990-01-31 |
| 发明(设计)人: | 广冈政昭;石原俊一;半那纯一;清水勇 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 李强 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 改进的图象读取光检测器,它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。 | ||
| 搜索关键词: | 图象 读取 检测器 制作方法 | ||
【主权项】:
1.图象读取光检测器的制作方法,该光检测器包括基底、用非单晶半导体材料膜制作成的光电转换层和与该光电转换层相连的电极,该方法的特征在于:(a)通过第一气体输送管道把气态物质(1)送入放有所述基底的抽空的膜形成空间,并通过与第一输送管道同轴的第二输送管道把气态物质(2)送入上述膜形成空间,气态物质(1)可成为所述膜的一种组分但在其原有能量状态则基本上不能对膜的形成有所贡献,气态物质(2)能够电子氧化气态物质(1),所述第一和第二同轴气体输送管道在所述基底附近终结,(b)在所述基底表面附近的空间,在没有等离子体的情况下使所述气态物质(1)和(2)化学接触,所述基底被维持在高温以产生包含受激初级物的多种初级物并使至少一种所述初级物形成构成光电转换层的膜,(c)把所述第一和第二同轴气体输送管道的出口与所述基底表面间的距离保持在5mm至15cm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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