[其他]半导体电路不稳定性解决效率提高无效

专利信息
申请号: 86108332 申请日: 1986-12-06
公开(公告)号: CN86108332A 公开(公告)日: 1988-11-23
发明(设计)人: 汪克明 申请(专利权)人: 汪克明
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L23/56;H03F1/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 贵州省贵阳市*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明用在各种半导体电子设备中,解决各种半导体分立元件电路、集成电路中的热不稳定性,提高功放电路中的晶体管和电路效率。在晶体管发射结接入能得到与晶体管相同温度特性的元件和使输入电压与偏置电压成串联的加到晶体管发射结,来使各种半导体电路在环境温度低于56℃时,电路特性能保持为设计时的特性稳定不变;和使各种功放电路中晶体管的输出功率,较在相同条件下该类电路现在的最大输出功率增大10~300%以上。
搜索关键词: 半导体 电路 不稳定性 解决 效率 提高
【主权项】:
1、解决半导体电子电路热不稳定性及提高晶体管和电路效率的电是1、晶体管电路是在晶体管发射结加正偏置电压,偏置电压电路中串接正向偏置的二极管D1或负温度系数的热敏电阻。其特征是:a、二极管D1或热敏电阻与晶体管管温相同。b、二极管D1或热敏电阻的电压降,在晶体管集电极电流流通角大于或等于180°的电路中,近似等于晶体管发射结内建场电压,在晶体管集电极电流流通角小于180°的电路中,低于晶体管发射结内建场电压。c、偏置电压与晶体管发射结内建场电压之差,近于为与温度变化无关的常数。D、在功放电路的偏置电路中,加接并联的反向偏置二极管D2。E、在晶体管集电极电流流通角等于或小于180°的电路中,输入信号电压与偏置电压成叠加的加到晶体管发射结上。F、晶体管发射极电阻RE的阻值可以任意取值,甚至为零。2、整流电路其特征是:a、在整流管的正极或负极电路中,串接正温度系数的热敏电阻。b、热敏电阻与整流管管温相同。c、热敏电阻的电压降与整流管管内建场电压近于相等。
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