[其他]半导体电路不稳定性解决效率提高

权利要求书

1、解决半导体电子电路热不稳定性及提高晶体管和电路效率的电是

1、晶体管电路是在晶体管发射结加正偏置电压，偏置电压电路中串接正向偏置的二极管D₁或负温度系数的热敏电阻。其特征是：

a、二极管D₁或热敏电阻与晶体管管温相同。

b、二极管D₁或热敏电阻的电压降，在晶体管集电极电流流通角大于或等于180°的电路中，近似等于晶体管发射结内建场电压，在晶体管集电极电流流通角小于180°的电路中，低于晶体管发射结内建场电压。

c、偏置电压与晶体管发射结内建场电压之差，近于为与温度变化无关的常数。

D、在功放电路的偏置电路中，加接并联的反向偏置二极管D₂。

E、在晶体管集电极电流流通角等于或小于180°的电路中，输入信号电压与偏置电压成叠加的加到晶体管发射结上。

F、晶体管发射极电阻R_E的阻值可以任意取值，甚至为零。

2、整流电路其特征是：

a、在整流管的正极或负极电路中，串接正温度系数的热敏电阻。

b、热敏电阻与整流管管温相同。

c、热敏电阻的电压降与整流管管内建场电压近于相等。

2、根据权利要求一，1所述之电路，其特征是正向偏置的二极管D₁或热敏电阻固定在晶体管的外壳或散热片上，或与晶体管集成在同一衬底上并紧靠晶体管，使二极管D₁或热敏电阻取得与晶体管相同的管温。

3、根据权利要求一，1所述之电路，其特征是调整偏置电压电路中电阻的阻值或调整偏置电流，使正向偏置二极管D₁或热敏电阻上的电压降近似等于或小于晶体管发射结内建场电压。

4、根据权利要求一，2所述之电路，其特征是热敏电阻固定在整流管的外壳或散热片上，使热敏电阻取得与整流管相同的管温。

5、根据权利要求一，2所述之电路，其特征是调整热敏电阻的阻值，使热敏电阻的电压降与整流管内建场电压近于相等。