[发明专利]铁硅铝合金磁膜及其制造方法和用途无效
| 申请号： | 86106790.8 | 申请日： | 1986-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN1006831B | 公开（公告）日： | 1990-02-14 |
| 发明（设计）人： | 斋藤和宏;森泰一 | 申请（专利权）人： | 日本矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F10/26;H01F41/18;G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及铁硅铝合金磁膜及其制造方法和叠层薄膜磁头，所述磁膜有一基底和在其上形成的铁硅铝合金膜，所述基底的热膨胀系数比上述铁硅铝含金膜的低，将上述合金膜的氩含量控制在0.01至0.3％重量比的范围内，以使膜中的内应力基本为零。通过过用DC溅射装置向基底提供RF偏压并控制组分的重量比来淀积上述磁膜。用本发明的磁膜制造的叠层薄膜磁头具有矫顽力低、导磁率高的良好磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 及其 制造 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种铁硅铝合金磁膜，由基片以及在基片上形成的铁硅铝合金膜构成，所述基片的热膨胀系数为100～135×10-7度-1，其特征在于所述铁硅铝合金膜的热膨胀系数为110～170×10-7度-1，所述合金膜中的含氩量在0.01～0.3％重量比的范围内。
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