[发明专利]铁硅铝合金磁膜及其制造方法和用途无效
| 申请号： | 86106790.8 | 申请日： | 1986-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN1006831B | 公开（公告）日： | 1990-02-14 |
| 发明（设计）人： | 斋藤和宏;森泰一 | 申请（专利权）人： | 日本矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F10/26;H01F41/18;G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铝合金 及其 制造 方法 用途 | ||
【权利要求书】：
1、一种铁硅铝合金磁膜，由基片以及在基片上形成的铁硅铝合金膜构成，所述基片的热膨胀系数为100～135×10-7度-1，其特征在于所述铁硅铝合金膜的热膨胀系数为110～170×10-7度-1，所述合金膜中的含氩量在0.01～0.3%重量比的范围内。
2、权利要求1所述的铁硅铝合金磁膜，其特征在于：基片为结晶玻璃，铁硅铝合金磁膜的组成为83～94%重量比的铁、4～11%重量比的硅以及2～6%重量比的铝。
3、权利要求1所述铁硅铝合金磁膜的制造方法，其特征在于使用直流溅射装置在基片上施加射频偏置，在基片上淀积一层铁硅铝合金膜，对测射后的铁硅铝合金磁膜在450℃800℃的条件下进行热处理。
4、权利要求1所述的铁硅铝合金磁膜用于薄膜叠层磁头，它包括两个相对的基片以及交替叠层在其间的铁硅铝合金膜和非磁性绝缘膜，其特征在于：上述基片的热膨胀系数为100～135×10-7度-1，上述铁硅铝合金膜的热膨胀系数为110～170×10-7度-1，上述合金膜中的含氩量在0.01～0.3%重量比的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本矿业株式会社，未经日本矿业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/86106790.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
