[发明专利]有高介电常数和平坦温度系数的介质陶瓷无效
| 申请号： | 86103391.4 | 申请日： | 1986-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1009510B | 公开（公告）日： | 1990-09-05 |
| 发明（设计）人： | 迈克·S·H·朱;查尔斯·E·霍奇金斯;特伦斯·C·迪安 | 申请（专利权）人： | 谭氏陶器有限公司 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/46;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 美国纽约州尼亚加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制作多层电容器(MLCs)的陶瓷组合物，这些多层电容器具有高达3000至4000的介电常数以及稳定的温度系统(TC)，这种陶瓷组合物是由高纯钛酸锁，五氧化二铌以及氧化钴制成。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 平坦 温度 系数 介质 陶瓷 | ||
【主权项】：
1、一种陶瓷组合物，其特征在于它主要由以下成分组成：大约97.70～98.99%(重量)的钛酸钡、大约0.85～1.69%(重量)的五氧化二铌、大约0.09-1.20%(重量)的氧化钴，而且五氧化二铌对氧化钴的重量比约为3.30至18.00。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于谭氏陶器有限公司，未经谭氏陶器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/86103391.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
