[发明专利]有高介电常数和平坦温度系数的介质陶瓷无效
| 申请号： | 86103391.4 | 申请日： | 1986-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1009510B | 公开（公告）日： | 1990-09-05 |
| 发明（设计）人： | 迈克·S·H·朱;查尔斯·E·霍奇金斯;特伦斯·C·迪安 | 申请（专利权）人： | 谭氏陶器有限公司 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/46;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 美国纽约州尼亚加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电常数 平坦 温度 系数 介质 陶瓷 | ||
【权利要求书】：
1、一种陶瓷组合物，其特征在于它主要由以下成分组成：大约97.70～98.99%(重量)的钛酸钡、大约0.85～1.69%(重量)的五氧化二铌、大约0.09-1.20%(重量)的氧化钴，而且五氧化二铌对氧化钴的重量比约为3.30至18.00。
2、一种多层陶瓷电容器，其特征在于，用权利要求1所述的陶瓷组合物构成该多层陶瓷电容器的介质层。
3、一种权利要求1所述陶瓷组合物的制备方法，其特征在于，其制法包括将具有下列比例的各组分混合在一起，用水调成浆状或机械掺混以制成所述陶瓷组合物，各组分的组成为
约97.70%-98.99%（重量）的高纯钛酸钡，其BaO/TiO2的化学计量比为0.950-0.995，平均粒度约为0.90～1.30μm，
约0.85%-1.69%（重量）的五氧化二铌，
约0.09%-1.20%（重量）的氧化钴，其中
五氧化二铌对氧化钴的重量比约3.30至18.00。
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