[发明专利]带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法无效
| 申请号： | 86101350.6 | 申请日： | 1986-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1012776B | 公开（公告）日： | 1991-06-05 |
| 发明（设计）人： | 威廉·贝格;丁秋先;萧邦;曾志成 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L21/469;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,杜有文 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制作与埋置氧化物区自对准的场效应器件的MOS工艺。在由掩膜部分确定了栅之后，与掩膜部分相对准而进入氧注入。掩膜部分阻挡了氧注入，因而由此制出的晶体管的沟道区同埋置氧化层中的窗口相自对准。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 绝缘 氧化物 金属 半导体 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.在硅基片上制作晶体管的方法，其特征在于它包括下列步骤：在所述基片上制出栅部分，所述栅部分为掩膜部分所覆盖；对所述基片进行离子注入，注入的离子同所述硅结合而在所述基片中形成与所述栅部分和掩膜部分相对准的绝缘区，所述掩膜部分要足够厚，以便所述注入离子不会穿过所述掩膜部分；除去所述掩膜部分；在所述基片中制出与所述栅部分相对准的源和漏区，从而在带有绝缘区的所述基片中制出晶体管。
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