[发明专利]带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法

权利要求书

1、在硅基片上制作晶体管的方法，其特征在于它包括下列步骤：

在所述基片上制出栅部分，所述栅部分为掩膜部分所覆盖；

对所述基片进行离子注入，注入的离子同所述硅结合而在所述基片中形成与所述栅部分和掩膜部分相对准的绝缘区，所述掩膜部分要足够厚，以便所述注入离子不会穿过所述掩膜部分；

除去所述掩膜部分；

在所述基片中制出与所述栅部分相对准的源和漏区，

从而在带有绝缘区的所述基片中制出晶体管。

2、根据权利要求1确定的方法，其特征在于所述离子是氧离子。

3、根据权利要求1确定的方法，其特征在于所述栅部分包括多晶硅且所述掩膜部分包括光致抗蚀剂。

4、根据权利要求1确定的方法，其特征在于所述栅部分和掩膜部分包括多晶硅。

5、根据权利要求2确定的方法，其特征在于在所述注入之后采用退火步骤以制出埋置二氧化硅层。

6、根据权利要求5确定的方法，其特征在于所述退火步骤在存在不活泼气体的情况下进行。

7、在硅基片上制作晶体管的工艺，其特征在于包括下列步骤：

先在所述基片上制出绝缘层，然后在所述绝缘层上制出栅部分，以在所述基片的预定部位上制出掩膜部分;

对所述基片进行离子注入，注入离子同所述硅结合形成绝缘体，所述注入受到所述机部分的阻挡，从而形成具有与所述栅部分相对准的窗口的埋置绝缘层，所述栅部分要足够厚以防止所述离子完全穿过所述栅部分;

除去那些曾经过离子注入的所述栅部分;

在所述基片中制出与所述栅部分剩余部分相对准的源和漏区，

从而在带有埋置绝缘层的所述基片中制出晶体管。

8、根据权利要求7的工艺，其特征在于所述离子包括氧离子。

9、根据权利要求7的工艺，其特征在于所述制出掩膜部分的步骤包括在所述基片上制出二氧化硅层，在所述绝缘层上方制出多晶硅栅部分，各所述栅部分在绝缘层都被掩膜所覆盖，所述掩膜厚得足以阻止所述离子穿透所述多晶硅栅部分。

10、根据权利要求8或9的工艺，包括在所述注入之后对所述基片进行退火以形成包括二氧化硅的所述埋置绝缘层的步骤。

11、根据权利要求10的工艺，其特征在于所述退火是在存在不活泼气体的情况下进行的。

12、根据权利要求7的工艺，其特征在于所述栅部分包括多晶硅。

13、在硅基片上制作晶体管的方法，其特征在于包括下列步骤：

在所述基片上制出绝缘层;

在所述绝缘层上面制出多晶硅层;

在所述多晶硅层上面确定多个掩膜部分;

由所述多晶硅层制出多个与所述掩膜部分相对准的栅部分;

使所述基片受到离子注入，所注入的离子同所述硅结合形成位于所述硅基片的表面之下的绝缘区，所述掩膜部分厚得足以阻挡所述离子穿过所述多晶硅栅部分;

除去所述掩膜部分;

对所述基片进行退火以在所述基片中由所述离子和所述硅形成埋置绝缘区，所述绝缘区包括与所述栅部分相对准而制成的窗口;

在所述基片中与所述栅部分相对准而制出源和漏极，从而在所述基片中制出晶体管。

14、根据权利要求13确定的方法，其特征在于所述离子是氧离子。

15、根据权利要求14确定的方法，其特征在于所述掩膜部分包括硬化光致抗蚀剂。

16、根据权利要求14确定的方法，其特征在于所述掩膜部分包括多晶硅。

17、根据权利要求14确定的方法，其特征在于所述掩膜部分包括氮化硅。

18、根据权利要求14确定的方法，其特征在于所述掩膜部分包括高熔点金属。