[发明专利]利用空气环境用冶金级硅粒子生产半导体级硅球产品

摘要

本发明涉及到一种由冶金级硅制造用于太阳电池的太阳电池级的单晶硅球的方法。该方法包括将冶金级硅粒子筛分到所需范围及在空气中将粒子外表面进行氧化从而在其上形成氧化表面层。然后粒子在空气中被加热并使在表面层内的硅熔化从而使杂质移向表面层。其所以可能是因为单晶的形成，对杂质来说表面层具有高溶解度及球体很小，其表面积与体积之比很大。然后将其中的表面层和杂质腐蚀掉，对剩下的粒子再次进行处理以形成一层表面层，以后内部的硅熔化，再将表面层清除，重复该循环直到硅纯度达到所需级别。可采用一中间粒化（ｓｈｏｔ）步骤来产生用于重复循环中的加工原料的基本上直径均匀的球体。$#!

主权项

1．一种由相对低纯度的冶金级材料形成太阳电池级硅半导体材料的方法，包括步骤：(a)在空气中处理相对低纯度的半导体材料以便在其上形成一种热稳定化合物的氧化物表面层，(b)将上述表面层内的材料熔化，同时保持在上述表面层内的熔化材料从而使在上述材料内的杂质向上述表面层移动，(c)使该材料冷却从而在上述表面层内形成一种单晶固体材料，(d)从上述粒子上去除上述表面层，(e)在上述粒子上重复步骤(a)到(d)。