[发明专利]利用空气环境用冶金级硅粒子生产半导体级硅球产品无效
| 申请号： | 86100377.2 | 申请日： | 1986-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1062034C | 公开（公告）日： | 2001-02-14 |
| 发明（设计）人： | 朱尔斯·D·李维;米勒德·J·詹逊 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | C30B29/60 | 分类号： | C30B29/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 颜承根 |
| 地址： | 美国德克萨斯州7526*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 空气 环境 冶金 粒子 生产 半导体 级硅球 产品 | ||
1．一种由相对低纯度的冶金级材料形成太阳电池级硅半导体材料的方法，包括步骤：
(a)在空气中处理相对低纯度的半导体材料以便在其上形成一种热稳定化合物的氧化物表面层，
(b)将上述表面层内的材料熔化，同时保持在上述表面层内的熔化材料从而使在上述材料内的杂质向上述表面层移动，
(c)使该材料冷却从而在上述表面层内形成一种单晶固体材料，
(d)从上述粒子上去除上述表面层，
(e)在上述粒子上重复步骤(a)到(d)。
2．如权利要求1所述的方法，其中步骤(b)包括在空气环境中熔化上述材料。
3．如权利要求1所述的方法，其中半导体材料取-由硅、锗和砷化镓所组成的类。
4．如权利要求2所述的方法，其中该半导体材料取自硅、锗和砷化镓所组成的类。
5．如权利要求1所述的方法，其中步骤(a)包括在大约1个大气压的空气环境下把粒子加热到1430℃的范围内，不超过1550℃，大约2分钟到20分钟。
6．如权利要求2所述的方法，其中步骤(a)包括在大约一个大气压的空气环境下把粒子加热到1430℃的范围内，不超过1550℃，大约2分钟到20分钟。
7．如权利要求3所述的方法，其中步骤(a)包括在大约一个大气压的空气环境下把粒子加热到1430℃的范围内，不超过1550℃，大约2分钟到20分钟。
8．如权利要求4所述的方法，其中步骤(a)包括在大约一个大气压的空气环境下把粒子加热到1430℃的范围内，不超过1550℃，大约2分钟到20分钟。
9．如权利要求1所述的方法，其中低纯度的粒子是不规则形状的。
10．如权利要求2所述的方法，其中低纯度的粒子是不规则形状的。
11．如权利要求3所述的方法，其中低纯度的粒子是不规则形状的。
12．如权利要求4所述的方法，其中低纯度的粒子是不规则形状的。
13．如权利要求5所述的方法，其中低纯度的粒子是不规则形状的。
14．如权利要求6所述的方法，其中低纯度的粒子是不规则形状的。
15．如权利要求7所述的方法，其中低纯度的粒子是不规则形状的。
16．如权利要求8所述的方法，其中低纯度的粒子是不规则形状的。
17．如权利要求1所述的方法，还包含在步骤(e)之前制造的大小分布均匀的上述粒子的步骤。
18．如权利要求4所述的方法，还包含在步骤(e)之前制造的大小分布均匀的上述粒子的步骤。
19．如权利要求4所述的方法，还包含在步骤(e)之前制造的大小分布均匀的上述粒子的步骤。
20．如权利要求16所述的方法，还包含在步骤(e)之前制造的大小分布均匀的上述粒子的步骤。
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