[发明专利]双极异质结晶体管及其制造方法

摘要

按照本发明研制的双极异质结晶体管其发射极形成层基本上由掺杂的和氢化的半导体材料组成，并且至少局部形成非晶的结构。由于发射极材料的能带较宽，可获得大的电流增益β。发射极形成层最好由掺杂的和氢化的微晶硅组成，能提供小的基极电阻适宜在高频下使用。用CVD技术，用等离子体或者用光分解法可以形成非晶双极异质结晶体管，用上述任一方法或用加热非晶发射极层的方法，可制作具有微晶发射极层的晶体管。

主权项

1.一种制造双极异质结晶体管的方法，该晶体管基本上由硅材料形成，其制造步骤包括：准备一种导电类型的基片作为集电极(4)；在集电极(4)的上面或其中生成一个基极(3)，该基极(3)基本上是微晶材料，且经过掺杂而具有另一种导电类型，其特征在于：在上述基极(3)之上或之中，在温度低于450℃下制作一发射极(2)，该发射极(2)实质上是由掺杂的并经过氢化处理的第种导电类型的硅材料构成，并且至少有一部分是呈非晶质状态，也就是由完全非晶质氢化处理的硅(α-Si:H)一直到微晶硅(uC-Si)，其平均尺寸一般在2-100毫微米之间的小的微晶粒构成，并埋藏在非晶质的母体内，形成一个连续的晶粒结构和晶粒边界结构。