[发明专利]双极异质结晶体管及其制造方法

权利要求书

1、一种制造双极异质结晶体管的方法，该晶体管基本上由硅材料形成，其制造步骤包括：

准备一种导电类型的基片作为集电极（4）;

在集电极（4）的上面或其中生成一个基极（3），该基极（3）基本上是微晶材料，且经过掺杂而具有另一种导电类型，其特征在于：

在上述基极（3）之上或之中，在温度低于450℃下制作一发射极（2），该发射极（2）实质上是由掺杂的并经过氢化处理的第一种导电类型的硅材料构成，并且至少有一部分是呈非晶质状态，也就是由完全非晶质氢化处理的硅（α-Si∶H）一直到微晶硅（uC-Si），其平均尺寸一般在2-100毫微米之间的小的微晶粒构成，并埋藏在非晶质的母体内，形成一个连续的晶粒结构和晶粒边界结构。

2、按照权利要求1所述的一种制造双极异质结晶体管的方法，其中可以用等离子体化学汽相沉积（PVCD）的方法制作发射极（2）。

3、按照权利要求2所述的一种制造双极异质结晶体管的方法。其中将氢（H₂）加入到具有相当高的分压的等离子体中，从而使发射极（2）基本上由掺杂的和氢化处理的呈微晶状态的硅材料构成。

4、一种双极异质结晶体管（1），基本上由硅材料形成，其中包括：一种导电类型的集电极（4），基极（3）在集电极（4）之中或之上形成上述基极呈微晶状态，并通过掺杂形成另一种导电类型，其特征在于：将上述晶体管的发射极（2）制作在上述基极（3）之中或之上，且基本上由掺杂的和氢化处理的硅材料构成，其中至少部分呈非晶状态。

5、按照权利要求4所述的一种双极异质结晶体管（1），其中基极厚度小于0.5微米。