[其他]门电路断开可控硅

摘要

所提供的门电路断开可控硅具有一块半导体衬底、一个阳极和一个控制极。半导体衬底包含有，连接阳极的P发射层、邻接于P发射层的N基区层、邻接于N基区层且连接控制极的P基区层和邻接于P基区层且连接阴极的N发射层。为了改善其电流截止性能，半导体衬底还包括在P发射层和N基区层之间设置的P型层，并且有低于N基区层的杂质浓度。

主权项

1.门电路断开可控硅包括有：半导体衬底，它具有第一层，该层暴露在衬底的第一个主表面上且属于第一导电型，第二层邻接于上述第一层且为第二导电型，第三层邻接于上述第二层且暴露在上述衬底的第二个主表面上，该第三层属于第一导电型，第四层邻接于上述第三层也暴露在上述衬底的第二主表面上，该第四层属于第二导电型，以及属于第一导电型的第五层，它设置于上所第一层和第二层之间，具有小于上述第一层的杂质浓度：第一主电极至少与上述第一层良好导电连接：第二主电极与上述第四层良好导电连接：控制极连接于上述第三层。其特征为：在上述衬底第一主表面上露出的上述第五层的杂质浓度小于各层中最厚的、用作基区层的上所第二层的杂质浓度，由此，降低了载流子从上述第一层向上述第二层注入的注入效率。