[发明专利]包含互补场效应晶体管的集成电路

摘要

包含有互补场效应晶体管的集成电路，它们二者是常截止、耗尽型的。这两个晶体管在沟道区都有一个表面层，它们和与之相连的源漏区具有相同的导电类型。在这两个表面层中，其每单位表面积中的掺杂量至少等于分别和这两个表面属相连的两个衬底区部分每单位表面积中的电荷量，并且假如在栅电极和源漏区间加上一个阈值电压，则衬底区被耗尽。栅电极是由相反导电类型的半导体材料组成的。

主权项

1.包含一块带有主表面的半导体集成电路，在它上面存在有两个以上的电路元件。其中，在这块半导体内，在其主表面附近有一个用第一种导电型材料做的第一衬底区和一个用第二种导电型材料做的第二衬底区。第一衬底区内至少包含有第一个场效应晶体管的用第二种导电型材料做的一个源区和一个漏区。第一沟道区延伸在这些源区和漏区间并在这个主表面上被用一个绝缘层覆盖着，其中由半导体材料做成的第一栅电极就放置在这个绝缘层的上面。第二衬底区至少包含有第二个场效应晶体管的用第一种导电型材料做的一个源区和一个漏区第二沟道区延伸在这些源区和漏区间并在这个主表面上也被一个绝缘层覆盖着，一个由半导体材料做成的第二栅电极就放置在这个绝缘层上。第一栅电极和第二栅电极的半导体材料具有相反导电的类型。其特征在于上述源区和漏区间的第一个和第二个这两个沟道区上，都有一个和绝缘层连接的表面层将这些区连接了起来，这两个表面层中，每一个都和与之相连的源区和漏区有相同的导电类型。同时，第一和第二个场效应晶体管二者都是常截止耗尽型的。此外在每个表面层的单位表面积中的掺杂量至少等于和该表面层相连的沟道区部份的单位表面积中的电荷量，而且假如将一个和相应的场效应晶体管的阈值电压相等的电压加到与这个场效应晶体管的源区和漏区有关的那个相应的栅电极上时，沟道被耗尽。