[发明专利]包含互补场效应晶体管的集成电路

权利要求书

1、包含一块带有主表面的半导体集成电路，在它上面存在有两个以上的电路元件。其中，在这块半导体内，在其主表面附近有一个用第一种导电型材料做的第一衬底区和一个用第二种导电型材料做的第二衬底区。第一衬底区内至少包含有第一个场效应晶体管的用第二种导电型材料做的一个源区和一个漏区。第一沟道区延伸在这些源区和漏区间并在这个主表面上被用一个绝缘层覆盖着，其中由半导体材料做成的第一栅电极就放置在这个绝缘层的上面。第二衬底区至少包含有第二个场效应晶体管的用第一种导电型材料做的一个源区和一个漏区，第二沟道区延伸在这些源区和漏区间并在这个主表面上也被一个绝缘层覆盖着，一个由半导体材料做成的第二栅电极就放置在这个绝缘层上。第一栅电极和第二栅电极的半导体材料具有相反导电的类型。其特征在于上述源区和漏区间的第一个和第二个这两个沟道区上，都有一个和绝缘层连接的表面层将这些区连接了起来，这两个表面层中，每一个都和与之相连的源区和漏区有相同的导电类型。同时，第一和第二个场效应晶体管二者都是常截止耗尽型的。此外在每个表面层的单位表面积中的掺杂量至少等于和该表面层相连的沟道区部份的单位表面积中的电荷量，而且假如将一个和相应的场效应晶体管的阈值电压相等的电压加到与这个场效应晶体管的源区和漏区有关的那个相应的栅电极上时，沟道被耗尽。

2、根据权利要求1所述的集成电路，其特征是第一和第二个场效应晶体管中的每一个有小于3μm沟道长度。

3、根据权利要求1或2所述的集成电路，其特征是在第一和第二这两个场效应晶体管中，其沟道宽与沟道长的比例至少是2。

4、根据上述权利要求中任何一项所述的集成电路，其特征是在第一和第二这两个场效应晶体管中，其栅电极半导体材料的导电类型在其下面的沟道区表面层的导电类型是相反的。

5、根据上述权利要求中任何一项所述的集成电路，其特征是第一和第二栅电极彼此直接相连。第一栅电极的半导体材料和第二栅电极的半导体材料相连，同时形成一个结，并且这个结被一个导电的接合面所并接。

6、根据上述任何一项权利要求所述的集成电路，其特征是第一和第二栅电极中每一个都有一个硅化物的顶层，这个硅化物的顶层被栅电极的半导体材料将它和栅电极下面的绝缘层分开。

7、根据权利要求6所述的集成电路，其特征是第一和第二栅电极的厚度至多一半是由硅化物组成的。

8、根据上述任何一项权利要求所述的集成电路，其特征是在第一和第二这两个场效应晶体管中，表面层和由该沟道区形成的衬底区之间的PN结放在半导体表面以下的一个深度上，这个深度至少处在由源漏区和与这些区相连的衬底区之间的一些PN结中具有最小深度的那个PN结的深度的一半处。