[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 202320932418.0 | 申请日: | 2023-04-23 |
公开(公告)号: | CN219917173U | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 张峰铭;张瑞文;张朝渊 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H10B10/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李南山 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本新型公开了一种半导体装置,该半导体装置包含了由多个单元排列而成的阵列。每个单元皆包含:至少一个沿第一方向排列的主动区;至少五个间隔的导电区沿第二方向布置,设置在主动区上方,其中第一至第五导电区中包含一个或多个导体,而该一或多个导体具有沿着第一方向的尺寸。关于沿着第一方向的尺寸,第一或第五导电区中的至少一个导体沿着第一方向的尺寸比第三导电区中的导体沿第一方向的尺寸更大。第二和第四导电区中单一导体的间距(pitch)、第二或第四导电区中多个导体间的间距,以及非第二或第四导电区的下一个最近导电区中的导体间的间距是不一样的。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的