[实用新型]BiMOS半导体装置有效
| 申请号： | 202320656480.1 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN219610441U | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 中村研贵;米田真也;塚田能成;小堀俊光;根来佑树;前田康宏 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;黄健 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种BiMOS半导体装置，包括连续配置的数个BiMOS半导体，每个BiMOS半导体包括：漏电极与形成于漏电极侧的漂移层、源电极与形成于源电极侧的源极接触层、形成在源极接触层旁边的栅电极、形成在漂移层与源极接触层之间的基极层与基电极。基极层包含由栅电极形成的沟道区，基电极与基极层相连。在BiMOS半导体装置中，在连续配置的栅电极之间的漂移层包括柱层，柱层中交替形成有第一导电型与第二导电型的数个柱，且在柱层与基极层之间形成有导电型与基极层不同的中间层。在本实用新型中，即使柱层和柱的数量跟沟道区的数量不匹配，也可以形成电流路径并且有效降低阻值。 | ||
| 搜索关键词： | bimos 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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