[实用新型]BiMOS半导体装置有效
| 申请号： | 202320656480.1 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN219610441U | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 中村研贵;米田真也;塚田能成;小堀俊光;根来佑树;前田康宏 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;黄健 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bimos 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种BiMOS半导体装置，包括连续配置的数个BiMOS半导体，其中每个所述BiMOS半导体包括：
漏电极与形成于所述漏电极侧的漂移层；
源电极与形成于所述源电极侧的源极接触层；
栅电极，形成在所述源极接触层旁边；
基极层，形成在所述漂移层与所述源极接触层之间，且所述基极层包含由所述栅电极形成的沟道区；以及
基电极，与所述基极层相连，
其特征在于，在所述BiMOS半导体装置中，
在连续配置的所述栅电极之间的所述漂移层包括柱层，所述柱层中交替形成有第一导电型与第二导电型的数个柱，且
在所述柱层与所述基极层之间形成有导电型与所述基极层不同的中间层。
2.根据权利要求1所述的BiMOS半导体装置，其特征在于，所述中间层的掺杂浓度小于所述柱层中与其相同导电型的所述数个柱的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的BiMOS半导体装置，其特征在于，所述中间层为N型，所述基极层为P型。
4.根据权利要求1所述的BiMOS半导体装置，其特征在于，所述中间层为P型，所述基极层为N型。
5.根据权利要求1所述的BiMOS半导体装置，其特征在于，还包括：漏极层，形成在所述漂移层与所述漏电极之间。
6.根据权利要求1所述的BiMOS半导体装置，其特征在于，还包括：基极掺杂层，形成在所述基极层与所述基电极之间，其中所述基极掺杂层的掺杂浓度大于所述基极层的掺杂浓度。
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