[实用新型]一种耦合器结构有效

专利信息
申请号: 202320546988.6 申请日: 2023-03-09
公开(公告)号: CN219350637U 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 彭志珊;阎跃军 申请(专利权)人: 深圳市研通高频技术有限公司
主分类号: H01P5/18 分类号: H01P5/18
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李倩
地址: 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区文苑*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了一种耦合器结构,包括依次层叠设置的顶层芯板、中间层和底层芯板,顶层芯板相背两表面上分别印刷有包括三个负载的顶层线路层和第一接地金属层;底层芯板相背两表面上分别印刷有底层线路层和第二接地金属层,底层线路层包括输入端、四个输出端和接地端,相邻两个输出端的相位相差90度,接地端、第一接地金属层和第二接地金属层连接;中间层包括通过介质层依次层叠的第一芯板、支撑板和第二芯板,第一芯板上设有三个耦合器的一部分线路和第一信号线,第二芯板上设有三个耦合器的另一部分线路和第二信号线,第一信号线和第二信号线连接形成四分之一波长线。本申请解决了现有四相位耦合器无法同时满足体积小和相位精度高的要求的问题。
搜索关键词: 一种 耦合器 结构
【主权项】:
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