[实用新型]碳化硅生长装置有效
| 申请号： | 202320171186.1 | 申请日： | 2023-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN219059209U | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 罗振姣;张洁 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨勋 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种碳化硅生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该碳化硅生长装置包括坩埚、籽晶载具、第一保温层和第一石墨纸，籽晶载具盖合在坩埚上，第一保温层包覆在坩埚外，且第一保温层的周缘开设有调温孔，第一石墨纸设置在第一保温层与坩埚之间，并至少封堵在调温孔的内侧周围。通过在第一保温层上贯通开设调温孔，整体降低了边缘区域的局部温度，从而改变坩埚内的温场分布，降低径向温度梯度，提高边缘的结晶速率。同时，第一石墨纸能够起到导热作用，从而调节热量分布，避免调温孔区域的温差过大，提升整体的温度均匀性，进而进一步优化生长腔室内的径向温度梯度，避免晶体生长时凸度过大，有利于晶体质量的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
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