[实用新型]碳化硅生长装置有效
| 申请号： | 202320171186.1 | 申请日： | 2023-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN219059209U | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 罗振姣;张洁 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨勋 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 装置 | ||
1.一种碳化硅生长装置，其特征在于，包括：
坩埚(110)；
籽晶载具(130)，所述籽晶载具(130)盖合在所述坩埚(110)上；
第一保温层(150)，所述第一保温层(150)包覆在所述坩埚(110)外，且所述第一保温层(150)上开设有调温孔(151)；
第一石墨纸(170)，所述第一石墨纸(170)设置在所述第一保温层(150)与所述坩埚(110)之间，并封堵在所述调温孔(151)的内侧周围。
2.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述调温孔(151)为多个，多个所述调温孔(151)间隔分布在所述第一保温层(150)上，且多个所述调温孔(151)相对于所述坩埚(110)的底壁的高度相同。
3.根据权利要求2所述的碳化硅生长装置，其特征在于，多个所述调温孔(151)的上侧边缘均与所述籽晶载具(130)的底侧相平齐。
4.根据权利要求2所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第一石墨纸(170)环设在所述坩埚(110)的外周面，并同时封堵多个所述调温孔(151)。
5.根据权利要求4所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第一石墨纸(170)的外周缘缠绕有石墨绳，所述石墨绳用于将所述第一石墨纸(170)捆绑固定在所述坩埚(110)的外壁上。
6.根据权利要求2所述的碳化硅生长装置，其特征在于，多个所述调温孔(151)均呈圆形。
7.根据权利要求6所述的碳化硅生长装置，其特征在于，每个所述调温孔(151)的孔径为1-2cm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述籽晶载具(130)的外侧设置有第二保温层(180)。
9.根据权利要求8所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第二保温层(180)和所述籽晶载具(130)之间还设置有第二石墨纸(190)，所述第二石墨纸(190)覆盖在所述籽晶载具(130)的外侧表面。
10.根据权利要求1-7任一项所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述调温孔(151)内的所述第一保温层(150)的厚度在0-8mm之间。
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