[实用新型]半导体调制激光放大器芯片有效
| 申请号： | 202320117648.1 | 申请日： | 2023-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN219350929U | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王中和 | 申请（专利权）人： | 欧润光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/026;H01S5/50 |
| 代理公司： | 上海双霆知识产权代理事务所(普通合伙) 31415 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 215200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体调制激光放大器芯片，包括一单模半导体激光器、一电吸收调制器以及一半导体光放大器，所述激光器与所述调制器之间形成第一电隔离区；所述调制器与所述光放大器之间形成第二电隔离区；所述激光器的电极通过第一金线与外界的直流电源相连；所述调制器的电极通过第二金线与外界的交流电源相连；所述光放大器的电极与所述激光器的电极连接；所述激光器、调制器、光放大器和第一电隔离区、第二电隔离区位于同一半导体衬底上。本实用新型可以在长距离高速率光信号传输的过程中，保证低啁啾的同时提高激光器的输出功率，并可使用背光对输出光功率进行监控。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 调制 激光 放大器 芯片 | ||
【主权项】：
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