[实用新型]半导体调制激光放大器芯片

权利要求书

1.一种半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，包括：

一单模半导体激光器(1)，

一电吸收调制器(2)，

第一电隔离区(4)，位于所述激光器(1)与所述调制器(2)之间；

第一电极(6)，连接所述激光器(1)；第一电极(6)通过第一金线(6w)与外界的直流电源(DC)相连；

第二电极(7)，连接所述调制器(2)；第二电极(7)通过第二金线(7w)与外界的交流电源(AC)相连；以及

一半导体光放大器(3)，

第二电隔离区(5)，位于所述调制器(2)与所述光放大器(3)之间；

第三电极(8)，连接所述光放大器(3)；所述第三电极(8)与所述第一电极(6)连接。

2.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述激光器(1)、调制器(2)、光放大器(3)和第一电隔离区(4)、第二电隔离区(5)位于同一半导体衬底上。

3.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述激光器(1)和所述光放大器(3)并联通过同一直流电流源驱动；和/或，所述激光器(1)和所述光放大器(3)的串联电阻与所述激光器(1)和所述光放大器(3)的工作电流成反比。

4.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述激光器(1)的波导宽度与所述光放大器(3)的波导宽度不同。

5.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述光放大器(3)的波导为锥形结构；和/或，沿着光传播方向，所述光放大器(3)的波导逐步增大。

6.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述光放大器(3)的波导为直波导；或者，所述光放大器(3)的波导为弯曲波导，以使光放大器(3)的出光面与芯片的腔面形成一个倾斜角；或者，所述光放大器(3)的波导为弯曲波导，所述光放大器(3)的波导与所述光放大器(3)的出光端面的法线之间的夹角在3到10度之间。

7.根据权利要求1所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述第一电极(6)与所述第三电极(8)之间设置有一电阻(9)。

8.根据权利要求7所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述光放大器(3)串联所述电阻(9)；所述电阻(9)的一端与光放大器(3)的第三电极(8)连接，所述电阻(9)的另一端与所述第一电极(6)连接；和/或，所述电阻(9)与所述光放大器(3)的串联电阻之和与所述激光器(1)的电阻之比与所述光放大器(3)和所述激光器(1)的驱动电流成反比。

9.根据权利要求7所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述激光器(1)串联所述电阻(9)；所述电阻(9)的一端与激光器(1)连接，所述电阻(9)的另一端与所述光放大器(3)连接；和/或，所述电阻(9)与所述激光器(1)的串联电阻之和与所述光放大器(3)的电阻之比与所述光放大器(3)和所述激光器(1)的驱动电流成反比。

10.根据权利要求7所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述激光器(1)和所述光放大器(3)分别通过金线与所述电阻(9)相连。

11.根据权利要求7所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述电阻(9)直接制作在电吸收激光放大器芯片上；或者，所述电阻(9)位于放置所述激光放大器芯片的基板上。

12.根据权利要求7所述的半导体调制激光放大器芯片，其特征在于，所述激光器(1)的长度在200到600微米之间；

和/或，所述光放大器(3)的长度在50到500微米之间；

和/或，所述调制器(2)的长度在50到300微米之间；

和/或，所述电阻(9)的阻值在0到15欧姆之间；所述电阻(9)位于同一半导体衬底上；所述电阻(9)为阻值在0到15欧姆之间变化的可调电阻或者不可调电阻。